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MOSFET内部结构及前级驱动电路设计讲解
鲁肃
张飞实战电子高级工程师
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时间  ( 星期四 )    04月29日19:25
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直播内容:

MOSFET作为现在电子电路设计中非常常用的开关管之一,随着成本进一步的降低以及能够做到更大的通流能力,已经逐步取代功率三极管和部分IGBT应用领域。那么,本次直播就从MOSFET的内部结构一步一步分析,逐步引入,让大家知道为什么MOSFET有高压低压,有大电流小电流,有高Rdson低Rdson,以及开关速度有快有慢。就是由于内部结构及工艺的不同,才会有各种针对不同的MOSFET,有不同的驱动电路。同时,也利用了MOSFET特性的天然优势,可以在很多领域应用到MOSFET。本次直播将会由内到外,由表及里的讲解MOSFET,既有广度也有深度。


直播大纲:  

1、MOSFET概述

2、MOSFET内部结构和工作原理

3、MOSFET基本特性(米勒效应、八大损耗、主要参数)

4、MOSFET种类及性能分析

5、MOSFET单管驱动电路(高压、低压)

6、MOSFET单管驱动电路(隔离、非隔离)

7、MOSFET互补驱动电路(H桥、三相逆变桥)

8、MOSFET集成芯片


简介

嘉宾介绍

鲁肃

本人专注于BLDC驱动器硬件设计,有近10多年的工作经验,精通各种家电类的马达驱动器硬件设计,产品涵盖有空调、油压机、空气净化器、汽车充电桩、滚筒洗衣机等。对开关电源及模拟电路有丰富的研发经验,同时也熟悉产品研发流程,对产品生产制造及工艺流程有丰富的经验,并做到对产品的全生命周期的技术支持。

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