A229：IBIS_Simulation_AM335X实例DDR3信号分析&电源平面VRM模型的编写和设置赋予1v5&0v75V的电压输入模型

A229：IBIS_Simulation_AM335X实例DDR3信号分析&电源平面VRM模型的编写和设置赋予1v5&0v75V的电压输入模型专栏课程

• 1A101：去耦电容的计算方法&电源驱动的负载计算电容量和目标阻抗计算法&电容的并联和串联等效特征

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• A102：相同容的并联能够有效的减少阻抗&相同容量并联后谐振频率相同电容的频率点的阻抗都小于单个电容

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• A103：不通容量的电容并联有不同的反谐振点&阻抗特性看底部比较平坦在一定的范围内减少阻抗&Sigrity默认MOD电容库

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• A104：SPICE电容模型参数解读&S2P和MOD电容库文件添加到系统库文件的方法&电容库参数读取和谐振点观察

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• A105：电容安装和摆放的问题与影响&电容安装过程中寄生电感的影响&回路面积越小寄生参数越小去耦电容效果越好

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