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5.0时长 00:25:44· 23064人已学习
讲师：张飞 张飞实战电子高级工程师
D=Voff/（Von+Voff），对于初级线圈来说，这其中的Von就是我们说的Vin，而且由于我们现在算的是最大占空比，而最大占空比我们之前也说到只有在输入电压最低的时候即90V时，占空比才为最大。也就是我们要求最大占空比用到的Vin为Vin(min)，我们再来看看Voff。Voff我们也拿初级线圈来看，那么Voff就是初级线圈在一个关断期间的电压，我们要用Vo将其折射过来，也就是我们说的Vor。
我们之前得到的Vor为121V而不是302V，Vin(min)为127V，我们最终得到的D为0.487，也就是49%，一个接近50%的占空比。
学习获得：
学习隔离式反激开关电源设计
1、反激开关电源的设计思路，拓扑结构及原理框图讲解
2、驱动电路设计
3、经典驱动芯片UC3842 内部结构讲解
4、频率设计讲解
5、吸收电路设计及作用讲解
6、功率开关管MOSFET的开关速度，发热因素及选型讲解
7、输出电路设计
8、MOSFET选型，吸收电路器件选型，输出二极管选型，输入输出电容等重要器件参数计算。
9、电流环设计
10、电压环设计
11、经典基准电压源TL431 内部结构讲解
12、光耦的应用讲解
13、TL431、光耦组合电路参数计算。
14、EMI设计简单介绍
适宜学习人群：
1、如果你还是学生，正厌倦于枯燥的课堂理论课程，想得到电子技术研发的实战经验；
2、如果你即将毕业或已经毕业，想积累一些设计研发经验凭此在激烈竞争的就业大军中脱颖而出，找到一份属于自己理想的高薪工作；
3、如果你已经工作，却苦恼于技能提升缓慢，在公司得不到加薪和快速升迁；
4、如果你厌倦于当前所从事的工作，想快速成为一名电子研发工程师从事令人羡慕的研发类工作。
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