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5.0时长 00:33:43· 23064人已学习
讲师：张飞 张飞实战电子高级工程师
接下来我们讲的内容为MOSFET。我们之前说到MOSFET前级电路是一个高压电路，220V整流之后变成的一个310V的电压。对于这样的电来说，原本OFF的状态下，电压应该是310V，MOS管导通的那一下，那么MOSFET上面的电压就接近一个0V，而且这个跳变的时间非常快。如果开关管开得越快，它从310V降到0V的时间就越短。
我们可以将这样的时间称之为压摆率，也可以说是dv/dT，这就代表了它的斜率。当斜率越陡即dv/dT越大的时候，对于这个系统来说就有可能发生一定的震荡。因为当电压发生急剧变化的时候，MOSFET的漏极和栅极也是有电容的，这种现象我们称之为米勒现象。米勒现象会在MOSFET的GS和DS上产生一个振荡，这样的振荡可能就会损坏该管。
学习获得：
学习隔离式反激开关电源设计
1、反激开关电源的设计思路，拓扑结构及原理框图讲解
2、驱动电路设计
3、经典驱动芯片UC3842 内部结构讲解
4、频率设计讲解
5、吸收电路设计及作用讲解
6、功率开关管MOSFET的开关速度，发热因素及选型讲解
7、输出电路设计
8、MOSFET选型，吸收电路器件选型，输出二极管选型，输入输出电容等重要器件参数计算。
9、电流环设计
10、电压环设计
11、经典基准电压源TL431 内部结构讲解
12、光耦的应用讲解
13、TL431、光耦组合电路参数计算。
14、EMI设计简单介绍
适宜学习人群：
1、如果你还是学生，正厌倦于枯燥的课堂理论课程，想得到电子技术研发的实战经验；
2、如果你即将毕业或已经毕业，想积累一些设计研发经验凭此在激烈竞争的就业大军中脱颖而出，找到一份属于自己理想的高薪工作；
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