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5.0时长 00:32:15· 23064人已学习
讲师：张飞 张飞实战电子高级工程师
之前我们说到了ΔI上升的斜率和上升的高度是Von来决定，下降的话当然就是由Voff来决定，以及电感量还有ton的时间来决定高度。如果这几个数值都下降的话，ΔI也会降下来，这样频率也会跌下来，L也就出来了。所以只要知道这几个数IL、Von、ton以及频率，这样就可以将L求出来了。
于是我们需要找到这样的一个关系，这个关系是所有电感都满足的一个特性。我们知道电感有一个最朴实的公式V=L*(di/dt)。从这个公式我们可以看出来，di实质上就是ΔI，也就是它的纹波，dt就是上升开通的时间。所以由这个公式我们可以转换为L=Von*ton/ΔI。
学习获得：
学习隔离式反激开关电源设计
1、反激开关电源的设计思路，拓扑结构及原理框图讲解
2、驱动电路设计
3、经典驱动芯片UC3842 内部结构讲解
4、频率设计讲解
5、吸收电路设计及作用讲解
6、功率开关管MOSFET的开关速度，发热因素及选型讲解
7、输出电路设计
8、MOSFET选型，吸收电路器件选型，输出二极管选型，输入输出电容等重要器件参数计算。
9、电流环设计
10、电压环设计
11、经典基准电压源TL431 内部结构讲解
12、光耦的应用讲解
13、TL431、光耦组合电路参数计算。
14、EMI设计简单介绍
适宜学习人群：
1、如果你还是学生，正厌倦于枯燥的课堂理论课程，想得到电子技术研发的实战经验；
2、如果你即将毕业或已经毕业，想积累一些设计研发经验凭此在激烈竞争的就业大军中脱颖而出，找到一份属于自己理想的高薪工作；
3、如果你已经工作，却苦恼于技能提升缓慢，在公司得不到加薪和快速升迁；
4、如果你厌倦于当前所从事的工作，想快速成为一名电子研发工程师从事令人羡慕的研发类工作。
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